戈多 Godot

前 Manta Network 首席研究员，专注美股期权和基本面。

2Segui già

240follower

Feed

Livestream

Feed

1/ La tecnologia di base DRAM di HBM si sta diversificando. Samsung, SK Hynix e Changxin stanno promuovendo il 4F². Micron salta il 4F², continua a ottimizzare il 6F² e in futuro passerà direttamente alla DRAM 3D. Samsung e Hynix stanno anch'essi sviluppando la 3D, la divergenza riguarda se passare o meno attraverso la generazione 4F². 2/ L'aggiornamento di HBM ha due linee principali, uno, aumentare la densità di memoria della DRAM di base due, l'impilamento e l'interconnessione aumentano capacità, larghezza di banda ed efficienza energetica. Questa disputa sulla direzione si concentra principalmente sulla prima. Il 4F² utilizza processi di produzione più complessi per ottenere una densità di memoria più elevata. La superficie teorica dell'unità si riduce del 33%, la densità di bit aumenta del 50%. Il costo è una produzione di transistor verticale complessa, la distanza tra i condensatori limita il guadagno reale di densità, e la resa presenta sfide. Micron usa il maturo 6F² per guadagnare tempo, puntando direttamente sulla DRAM 3D. Il rischio è che la commercializzazione della DRAM 3D sia più lontana; se il 4F² raggiunge per primo la produzione a basso costo, Micron potrebbe temporaneamente perdere il vantaggio di costo. 3/ Il contesto è che Scott DeBoer, presidente della tecnologia e dei prodotti di Micron, ha dichiarato in una conference call che l'azienda ha studiato la tecnologia 4F² per circa 20 anni e ha realizzato diversi prototipi. La decisione finale di abbandonarla riguarda principalmente due problemi. Il primo è la complessità e il costo di produzione. Il secondo è che Micron ritiene che il fattore decisivo per la densità reale di memoria DRAM sia la distanza tra i condensatori. I condensatori non possono essere ridotti indefinitamente, altrimenti il segnale di lettura e la capacità di mantenere i dati ne risentirebbero. La riduzione teorica del 33% dell'area 4F² è difficile da tradurre direttamente in una riduzione equivalente dell'area totale del chip, e ancora più difficile da tradurre in una riduzione dei costi di produzione. 4/ Changxin ha una condizione speciale, una capacità di finanziamento relativamente sufficiente. L'IPO ha raccolto 66,3 miliardi di yuan netti, e a settembre ha annunciato un piano di investimento di 35 miliardi per ricerca e test, principalmente utilizzando fondi raccolti in eccesso. Per Changxin, continuare a sviluppare il 4F² ha la possibilità di ottenere una svolta tecnologica e quote di mercato, il cui valore strategico potrebbe superare il ritorno finanziario a breve termine. 5/ Almeno guardando alla realizzazione dei profitti nel 2027-2028, supporto maggiormente la linea di Micron. Micron prevede di lanciare nella seconda metà del 2027 il processo 1δ, che pur mantenendo l'architettura 6F², può ancora ottenere un aumento della densità di bit di circa il 25%. Allo stesso tempo, ha già entrate commerciali da HBM4 e può continuare a investire nel miglioramento della resa e del packaging. Micron non deve assumersi i rischi aggiuntivi del 4F², ma ha comunque la possibilità di continuare a ridurre i costi. Il 4F² difficilmente cambierà immediatamente l'equilibrio tra domanda e offerta del mercato HBM. $MU